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Infineon Technologies IRF7807A
| Artikelnummer: | IRF7807A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO |
| Datenblätte: |
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Infineon Technologies IRF7807A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRF7807A.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Vgs (Max) ±12V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SO Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tube Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.3A (Ta) IRF7807A Einzelheiten PDF [English] IRF7807A PDF - EN.pdf -
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